Courant juin 2008, l’équipe DON du Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques a déposé à l’INPI un brevet conjoint avec le CEA : « Dispositif laser d’émission d’onde Terahertz » (BD10697)
L’invention concerne un dispositif laser compact, émettant dans une gamme de fréquence autour du THz. Ce dispositif comporte une hétérostructure semiconductrice de forme cylindrique à section circulaire (cfr. figure ci-dessous), avec une première couche optiquement non linéaire en GaAs incluant des boites quantiques aptes à la génération de deux modes de galerie optiques dans le proche IR. Ces modes sont confinés dans le GaAs où ils permettent la génération d’un mode de galerie rayonnant à une fréquence comprise entre 0.5 et 5 THz, obtenu par différence des fréquences des deux modes proche IR. Le microcylindre comporte en outre deux couches AlGaAs, ayant un indice optique plus faible quel’indice du GaAs, et deux couches métalliques pour leconfinement du mode THz. Ladite source THz est susceptible de fonctionner en continu, sous pompage optique ou électrique, à température ambiante.
