L’équipe DON a récemment démontré le premier oscillateur paramétrique optique (OPO) intégré dans un guide d’ondes fabriqué avec un semiconducteur III-V. Ce dispositif non-linéaire est basé sur une heterostructure GaAs/AlAs partiellement oxydée, la même technologie AlOx qui est au cœur de la fabrication des VCSEL.
Grâce à des pertes optiques distribuées relativement faibles et à des miroirs de Bragg dichroïques monolithiques SiO2/TiO2 , l’utilisation d’un schéma d’accord de phase par biréfringence de forme a permis d’atteindre un seuil de 210 mW en régime continu avec une pompe TM00 autour de 1 µm et signal et complémentaire TE00 autour de 2 µm.
Ce résultat, qui a fait la une du dernier numéro de 2013 d’Applied Physics Letters, constitue une référence pour la photonique intégrée et représente une étape significative vers un OPO injecté électriquement sur puce.
Figure :
Schéma d’un OPO intégré pour l’infrarouge (couverture de Applied Physics Letters de décembre 2013)
Contact :
giuseppe.leo@univ-paris-diderot.fr
Référence :
Near-infrared optical parametric oscillator in a III-V semiconductor waveguide.
M. Savanier, C. Ozanam, L. Lanco, X. Lafosse, A. Andronico, I. Favero, S. Ducci, and G. Leo, Applied Physics Letters 103, 261105 (2013).