Nous disposons de plusieurs solutions pour déposer des couches minces allant des matériaux isolants au métaux. Les couches pouvant être très fine (quelques nm) jusqu’à plusieurs microns.
Dépôts par évaporation sous vide - Plassys MEB 550S
Il s’agit d’un évaporateur utilisant un canon à électrons de 10keV, qui nous permet de déposer différents matériaux comme : Ag, Al, Au, Co, Ge, Pd, Pd/Ni, Pt, Ni et Ti.
D’autres matériaux peuvent être ajouter sur demande.
Nous pouvons également in-situ faire des oxydations (statique ou dynamique de 2 à 3nm) ou bien décaper les surface grâce à un canon à ions (Argon).
Nous avons la possibilité de chauffer le porte substrat jusqu’à 300°C ou de le refroidir grâce à de l’azote liquide, enfin, nous pouvons également tilter l’échantillon (-90°/+90°)
Zone de déposition : max 4 pouces (10cm)
Dépôts PECVD [1] - Corial D250
Notre système de dépôt chimique en phase vapeur assité par plasma (PECVD [1]) nous permet de déposer des couches d’oxyde ou de nitrure de silicium (SiO2 ou Si3N4).
Nous pouvons déposer une(des) couche(s) allant de 10 à 4000nm par run, avec une vitesse de dépôt allant jusqu’à 100nm/min.
Le réacteur est constitué d’un générateur RF de 300W à 13.56MHz ainsi que de lignes de gaz spécifique SiH4, NH3 et N2O (SF6 pour les nettoyages).
Les températures de dépôts possible sont 150°C ou 280°C pour une taille maximale d’échantillon de 8 pouces (20cm).
Dépôt d’Or électrolytique
Notre système permet de déposer des couches d’or jusqu’à 10µm d’épaisseur.
Taille d’échantillon : max 2 pouces
[1] (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)